Isnin, 16 April 2018

Samsung Electronics umum pengeluaran besar-besaran DRAM DDR4 10nm Generasi Kedua







Beberapa bulan yang lepas, Samsung pernah merancang untuk meningkatkan tahap pengeluaran unit DRAM. Terbaru, pihak syarikat telah mengeluarkan kenyataan rasmi berhubung perkara ini, serta menjelaskan dengan lebih lanjut berkenaan spesifikasinya.
Unit DRAM terbaru dari Samsung Electronics ini merupakan DRAM DDR4 Generasi Kedua 10nm 8-gigabit pertama seumpamanya di dunia. Apa yang membezakan DRAM pengeluaran Samsung ini adalah ianya hadir dengan ukuran yang lebih kecil, serta peningkatan prestasi antara 10 hingga 15 peratus, lebih kecekapan dan lebih laju (3.6Mbps).

Menariknya, Samsung Electronics turut menarik perhatian dengan memaklumkan akan menaikkan juga jumlah pengeluaran DRAM 10nm Generasi Pertama bagi memenuhi permintaan dari pengguna yang kian mendadak. Peningkatan jumlah pengeluaran ini dapat direalisasikan berikutan penggunaan teknologi pengeluaran yang lebih terkini yang dimiliki oleh Samsung.



Kemajuan penghasilan DRAM ini turut membolehkan pihak syarikat mempercepatkan usaha untuk memperkenalkan chip generasi berikutnya. Ini termasuklah DDR5, HBM3, LPDDR5, dan GDDR6. Pengawal memori jenis-jenis baru ini dijangka akan digunakan pada kad-kad grafik keluaran tahun 2018 dan 2019 kelak.

Laman

Tiada ulasan:

Catat Ulasan